本實驗藉由單極脈衝電源供應器控制電源參數,使用矽酸鈉及氫氧化鈉為電解液,以純鈦為基材進行微弧氧化處理,探討改變陽極開壓時間、陽極關壓時間、加工時間及電流不同參數對氧化膜的形成影響。 本實驗分成三個部分,第一部分主要討論不同電流對於膜層的影響,而電流設定為0.2 A、0.4 A、0.5 A、0.6 A及0.8 A。第二部分探討加工時間採用電壓真正有作用之時間為60 sec、120 sec及180 sec,藉以來觀察膜層成長的變化狀況。實驗結果發現在加工時間 60 sec及0.5 A此電流以上膜層表面會有白色粉末產生,而電流越大與加工時間越長白色粉末更為明顯。 第二部分主要討論在定電流下不同脈衝時間下對氧化膜的影響,以Ton 為變數時固定Toff時間,當Ton時間縮短膜層表面較易產生白色粉末;以Toff為變數時固定Ton時間,當其時間增長也較易產生白色粉末。在較短Ton 及較長Toff其電壓上升較快且鄰近正極之電解液的陰離子因參與反應而耗損,若Ton過長或Toff過短,將造成陰離子擴散補充不及而減緩膜層成長速度,因此脈衝時間Ton 與Toff必須取得一個平衡,否則抑制了薄膜的成長。 在不同電流、加工時間、Ton時間及Toff時間皆對直流單極脈衝的微弧氧化的膜層結果是否形成白色粉末表面皆有很大之影響,因此控制以上不同參數對氧化膜結果極為重要。
In this paper, it’s compared the qualities of the titanium oxide layer modified by micro-arc oxidation (MAO) under difference process conditions, they were compared with applied current, acting time, pulse on time and pulse off time. From obeservating the surface topography of SEM and optical microscope, it is shown impact of difference process conditions to the qualities of titanium oxide layer. Moreover, ot can be demonstrated the optimization conditions to generate the titanium oxide layer by MAO. The experiments are divided into the three parts. In first part, it was designed to the four current conditions at the same acting time and same pulse conditions. The results show generation the oxide film at current 0.5 A, 0.6 A and 0.8A it have TiO2 white powder.