- 學位論文
矽/矽化鍺 異質結構中受體能階的光學及傳輸性質之研究
Optical and Transport Studies of Acceptor States in Si/SiGe Heterostructure
摘要
論文提要 本文探討了Si/SiGe 異質接面及量子井結構的特性，並介紹了一些實驗方法及其結果。在樣品方面，我們使用了Si/SiGe epilayer及Si/SiGe量子井這二個系統。而以主題區分可分為下列三個主題： 1． SiGe在遠紅外光譜的吸收 本實驗室新建立的遠紅外線光譜系統，可以偵測弱束縳系統之束縳能或是躍遷能量。本文介紹了其實驗儀器之操作技巧及工作原理，並引述了他人理論計算之方法與結果，並圖示了此系統的一些特性曲線。最後並量測了一些SixGe1-x 的光譜，其x值在0~0.3之間，量測環境在4k~295k之間。 2． Si/SiGe的霍爾效應 吾人利用了LabVIEW設計了一套自動量測系統，在本文中會對理論解釋、程式設計、儀器配置、以及誤差成因的消去做初步的介紹。量測環境在4k~295k之間，磁場強度變動範圍在0~0.8Tesla之間。 3． 結果與討論 最後提出可能的原因，並討論Si/SiGe異質接面是否真具有產生兆赫波光源的潛力。
參考文獻
【2】 A. Neamen, “Semiconductor Physics & Devices 3rd”, McGraw-Hill,Inc.2002
【3】 Markelz, A. G.. et al., Chem. Phys. Lett. 320, 42 (2000)
【4】 P. T. Lang et al., Appl. Phys. Lett. 55, 2576 (1989)
【7】 D. H. Auston et al., Appl. Phys. Lett. 45, 284
【8】 Yu. P. Gousev et al., Appl. Phys. Lett. 75 6 (1999)
延伸閱讀
- 陳宏銘（2006）。含矽/矽鍺量子井結構發光二極體在不同摻雜濃度下之電激發光特性〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2006.02059
- 楊台發、陳俊伯、劉君鳳、楊雅喨、張鼎張（1998）。矽晶表面矽原子的振動模式研究：FTIR及Raman的光學方法分析比較。物理教育，2(1)，63-69。https://doi.org/10.6212/CPE.1998.0201.04
- 廖伯諭（2013）。矽與鍺共振多光繞射之相位研究〔博士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2013.00561
- 楊國志、李錫龍（1993）。Electronic Structural Studies of Molecular Nonlinear Optical Properties。化學，51(4)，474-496。https://doi.org/10.6623/chem.1993054
- Lin, R. L. (2006). Infrared characteristics of SiGe on SOI and heterojunction internal photoemission infrared photodetector [master's thesis, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU.2006.01122