硼離子光游離過程的研究

Studies on Photoionization Processes of the B+ ion

蕭鎬澤(Hao-Tse Shiao)

指導教授 ： 黃克寧

國立臺灣大學/理學院/物理研究所/碩士(2008年)

https://doi.org/10.6342/NTU.2008.01679

摘要

本研究是探討硼離子在第二和第三兩游離閾之間的光游離過程，其光子能量範圍為25.16至31.15電子伏特。理論上用「多組態相對論性混相近理論(Multiconfiguration Relativistic Random-Phase Approximation, MCRRPA )」來計算硼離子的雙激發共振態的光游離散射截面積，及光電子角分佈與極化參數。
在此光子能量範圍裡，光電子譜呈現「五個雷德堡系列」的自游離共振結構。將詳細探討這些共振附近角分佈和極化參數的變化，以及其與共振位置與共振寬度的關係，並且提供將來實驗探討的面向。

關鍵字

光游離 ； 硼離子 ； 類鈹硼離子 ； 量子多體理論

並列摘要

We have investigated photoionization of ground state of Be-like, B+, ions the photon energy range 25.16 to 31.15 eV. Calculation of cross section for double-excitation auto ionization resonances of beryllium-like B+ ion using the multiconfiguration relativistic random-phase approximation ( MCRRPA ) are performed. Precise energies and widths of all five Rydberg series of doubly-excited states are given in the photon-energy region between second and third ionization and Experimental works and excellent agreement is also shown.

並列關鍵字

Photoionization ； Boron ion ； Be-like Boron ion ； Quantum Many-Body Theory

參考文獻

1. D. L. Moores, Proc. Phys. Soc. 91 803 (1967).

2. P. L. Altick, Phys. Rev. 169, 21 (1968).

8. W. R. Johnson and C. D. Lin, J. phys. B 10, L1331 (1977).

9. K. T. Cheng, Phys.Rev. A 55, 166 (1997).

12. V. Radojevic and W. R. Johnson, Phys.Rev. A 31, 2991 (1985).