矽奈米線二極體成長及特性之研究

The Growth Mechanism and Electrical Characteristics of p-n Junction Silicon Nanowires

洪挺翔(Hung Ting-Hsiang)

指導教授 ： 李嗣涔

國立臺灣大學/電機資訊學院/電子工程學研究所/碩士(2008年)

https://doi.org/10.6342/NTU.2008.02129

摘要

本論文研究利用化學氣相沈積法經由VLS 成長機制來成長電場導向及自組裝之n 型矽奈米線、p 型矽奈米線及矽奈米線二極體，並從一系列的分析來了解矽奈米線二極體的成長機制。經由後段製程處理，我們可使量測到的矽奈米線二極體之電特性所受到的雜訊減到最小，接著研究其重覆量測及照光之電流對電壓的特性，最後我們利用靜電原子力顯微鏡(EFM)來定義我們所製作出的矽奈米線二極體其p 型和n 型的接面位置。

關鍵字

矽 ； 奈米線 ； 二極體 ； 電場導向 ； 矽奈米線

並列摘要

Electric-field-directed growth and self-assembly of n-type, p-type, and p-n junction silicon nanowires by chemical-vapor deposition via the vapor-liquid-solid (VLS) growth mechanism in a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) system is demonstrated. The growth mechanism and electrical characteristics of p-n junction SiNWs are demonstrated. The technique of sample preparation to eliminate the noise for I-V measurement is discussed. Repeated and optical I-V measurement of p-n SiNWs is
also demonstrated in this thesis. Electrostatic force microscopy (EFM) is used to spatially define the position of junction in the p-n junction SiNW.

並列關鍵字

silicon ； Si ； nanowire ； Si nanowires ； p-n junction ； p-n

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