氧化鋅奈米結構,尤其是線狀結構,以其多樣性及優異的光電特性,近年來吸引了許多人投入相關的研究工作。然而成長出氧化鋅奈米線過程中,往往使用金屬催化劑,此金屬催化劑成份在成長後仍會殘留在奈米線端點而難以去除,這可能使氧化鋅在發光元件上的應用造成一大阻礙。 本篇論文研究方向主要是以氣相傳輸法(vapor transport method)來成長氧化鋅奈米結構,並且不使用金屬催化劑,藉以達到所生長出來的氧化鋅奈米線的端點不殘留金屬催化劑成份,並探討成長壓力、基板溫度、與參雜Ga、In對氧化鋅奈米結構的影響,我們使用SEM掃描成長出來氧化鋅奈米結構的形貌,並藉由拉曼光譜、X-ray繞射分析其結構、成分,最後再利用PL光譜來檢測其光學性質。