本研究係使用射頻磁控濺渡系統(Radio-Frequency magnetron sputtering system)以不同角度斜向沉積(Glancing Angle Deposition, GLAD) 二氧化矽(Silicon Dioxide ,SiO2)薄膜於矽(Silicon, Si)基板上,利用改變基板傾斜角方式,濺鍍不同角度之二氧化矽薄膜,觀察成長出來的二氧化矽(Silicon Dioxide ,SiO2)薄膜之表面與橫截面。隨著傾斜角度的增加,二氧化矽(Silicon Dioxide ,SiO2)薄膜的反射率會減少。最後利用以不同傾斜角度沉積,可以得到不同折射率之二氧化矽(Silicon Dioxide ,SiO2)薄膜的特性,以研究沉積角度對光特性之關係。這研究可應用到太陽能電池作為增加光萃取的薄膜。