- 學位論文
以介面工程實現具高可靠度之多晶錫鍺無接面鐵電薄膜式電晶體及其在神經型態運算之應用
Junctionless Poly-GeSn Ferroelectric TFTs with Improved Reliability by Interface Engineering and the Applications to Neuromorphic Computing
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延伸閱讀
- Pen, C. (2011). 利用高介電材料與三五族高電子遷移率通道材料之介面調變工程作為鈍化保護以實現超越矽互補式金氧半場效電晶體技術之研究 [doctoral dissertation, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6843/NTHU.2011.00092
- 郭彥廷（2009）。以低溫多晶矽薄膜電晶體製程實現之全數位式鎖相迴路設計〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2009.10138
- 徐千博（2014）。使用多重臨界電壓互補式金氧半導體技術最佳化設計低電壓、低功率單晶片系統微處理器電路〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2014.02828
- Cheng, C. (2017). 低溫成長堆疊穿隧層對多晶鍺無接面電荷捕捉式快閃記憶體元件特性影響之研究 [master's thesis, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0401201815533742
- 紀卉彥（2014）。Self-Assembly Block Copolymers/Small Molecules Hybrid Nano-Floating Gate Memory: Device Fabrication and Performance Evaluation.〔碩士論文，國立中央大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0031-0412201512014769