本實驗以多靶式磁控濺鍍法鍍製BST/NZF共鍍薄膜以及複層薄膜。使用兩種矽基板(1-10Ω.cm 以及0.003~0.005 Ω.cm)及Pt/Ti(TiO2)/SiO2/Si基板,製作兼具介電性與導磁性之複合薄膜。我們利用低阻值矽晶片,簡化一般MIM(metal-insulator-metal)結構並與Pt電極基板相互比較。以矽晶作為薄膜基板,有利於矽基整合製程。矽基整合製程為利用製成穩定性高、控制容易、技術成熟的半導體製程將薄膜型被動元件整合於單一晶片上,以滿足高頻通訊之被動元件規格之要求。 實驗結果發現,在矽基板與介電薄膜之間會有二氧化矽氧化層之存在,降低整體薄膜電容值。NZF與BST共鍍薄膜會誘發BST於(111)優選方向結晶成長,並在不同鍍膜氣氛下,觀察到通入氧氣時表面粗糙鍍較低、且磁性、電性亦較佳,推測為氧原子緩衝氬原子對薄膜表面之衝擊與填補氧空缺之影響。若改變共鍍薄膜中兩種材料之組合比例,介電常數、磁化量亦會相應改變,其中矯頑場隨BST比例增加而增加,為domain wall pinning之影響。複層薄膜週期增加介電常數會先下降是由於串聯低電容與介面dead layer之效應,而後週期再增加又有些許上升則應來自介面電荷極化的貢獻。飽和磁化量亦受磁性dead layer影響,隨週期上升降低,矯頑場則較單層NZF高但亦隨週期降低,除了受pinning effect影響外亦因晶粒漸小使矯頑場降低。總結以上,本實驗以濺鍍法製成BST、NZF兩相共存薄膜,並藉由改變組成比例、週期,探討磁性、電性變化,以瞭解複層薄膜間的性質,尋求新的應用。