具砷化銦鎵覆蓋層之可調波長量子點紅外線光偵測器

Wavelength-Tunable Quantum-dot Infrared Photodetectors with InGaAs Capping Layers

趙光平(Kuang-Ping Chao)

指導教授 ： 吳孟奇 ； 林時彥

國立清華大學/電機資訊學院/電子工程研究所/碩士(2010年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2010.00076

摘要

在本論文中,我們利用分子束磊晶機台分別成長十層標準砷化銦/砷化鎵量子點紅外線光偵測器及含有砷化銦鎵層覆蓋的砷化銦/砷化鎵量子點紅外線光偵測器。對於含有添加砷化銦鎵覆蓋層的量子點紅外線偵測影響在本實驗被討論。藉由增加砷化銦鎵中的銦成分，並無法把偵測波長延伸到長波段。這個現象顯示出若要得到更長的偵測波段長,必須減少能帶中能階的能量差。因此藉由減小量子點的尺寸，能夠得到長波段的偵測波長被提出及驗證出來。除此之外,我們發現在不同操作偏壓下有史塔克偏移效應。此現象我們認為是由於在量子點結構中不對稱的能帶結構所造成的。另一方面，增加砷化銦鎵的厚度來達成超長偵測波長的實驗被我們證實了。藉由增加砷化銦鎵的厚度,降低了砷化銦鎵量子井的基態的位置。因此，簡易的砷化銦鎵覆蓋層結構並不會造成應力的累積，此高性能的量子點紅外線光偵測器被實現了。此優點有助於多偵測波段型的量子點紅外線光偵測器陣列元件的製作。

關鍵字

紅外線偵測器 ； 量子點

參考文獻

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