- 學位論文
提升具有氮化矽/二氧化鋯堆疊電荷儲存層之快閃記憶體元件操作特性研究
Improved Operating Characteristics of Flash Memory Devices with SiN/ZrO2 Stack Trapping Layer
延伸閱讀
- 諶俊元、張廖貴術、葉宗浩、吳冠德、王天戈（2013）。應用氧化鉛／氮化矽堆疊式電荷儲存層改進無接面式快閃記憶體元件的抹除速度。國家奈米元件實驗室奈米通訊，20(3)，2-7。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=1029502x-201309-201311250005-201311250005-2-7
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- Lin, H. Y. (2017). 氮化矽快閃記憶體中資料儲存模式 對內部電荷橫向傳輸之影響 [master's thesis, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0030-0705201811530133
- 楊東偉（2007）。氮化鉬電極及堆疊式介電層應用在SONOS-type快閃記憶體之研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-1411200715121284
- 柏啟超（2018）。A Study of Disturbance and Cycling Effect on 2D NAND Flash Memory Array〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-1803201914424464