矽微環型共振腔量測分析

Analysis on the measurement of silicon microring

楊宗翰(Tsung-Han Yang)

指導教授 ： 趙煦

國立清華大學/電機資訊學院/光電工程研究所/碩士(2011年)

摘要

本篇論文主要在SOI基板上製作矽微環型共振腔之被動元件，波導總高度為0.25μm，波導寬度為0.5μm，脊型波導肩膀高度為0.05μm，屬於單模態條件，元件主要在國家奈米元件實驗室，利用0.35μm半導體標準製程所製作，利用Elionix E-beam(ELS7500電子束直寫系統)曝光，由於是利用Gaussian beam單點式曝光方式，所以在定義環型波導時有較好的邊線，可以減少量測時的光學損耗，本論文針對不同半徑與間隙下量測其光學參數，最高Q factor可以達到65516，在半徑5μm條件下，環型共振腔光學損耗為0.09dB/turn以下，這些結果可做為未來製作主動元件參考之用。

關鍵字

矽微環型共振腔 ； 光學損耗

參考文獻

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