- 學位論文
不具閘極效應的三電極辛烷硫醇與聯苯-4,4’-二硫醇分子元件
Failure to Observe Gate Effect of Three-terminal Octanethiol and 4,4´-biphenyldithiol Molecular Devices
摘要
一般半導體元件是屬於「由上而下」的製程，利用許多微影和蝕刻技術，來做出特殊的圖案結構，儘管技術日新月異，圖形也變得愈來愈精細，但如何在不影響元件效能的情況下，將其尺寸縮小，這是長久以來一直面臨的挑戰；在分子電子學領域中，則是利用「由下而上」的製程方式，搭配使用半導體製程技術，將分子由下而上成長，可以形成僅約幾個奈米尺寸(<3nm)的通道，有機會突破摩爾定律(Moore’s Law)。 本實驗使用辛烷硫醇和聯苯-4,4´-二硫醇分子作為三電極分子元件源極和汲極之間的通道，在製程上去除因氫氧化鉀蝕刻矽所殘餘的鉀離子後，長久存在的漏電問題獲得很大的改善；此外，將良好的元件做電性分析，兩種分子皆沒有觀察到預期的閘極效應現象。
參考文獻
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