以原子層化學氣相沉積法鍍製氧化鑭、二氧化鉿及鑭－鉿氧化物之製程及材料性質

Process and Material Properties of La2O3、HfO2 and La-Hf-O Prepared by Atomic Layer Deposition

鍾維修(Wei-Xiu Chung)

指導教授 ： 吳泰伯

國立清華大學/工學院/材料科學工程學系/碩士(2009年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2009.00381

摘要

本實驗以原子層化學氣相沉積法 (Atomic layer chemical vapor deposition , ALCVD )鍍製La2O3、HfO2，以及二種不同結構之La-Hf-O薄膜，ALCVD可在低溫成長、具有優良之膜厚控制能力以及階梯覆蓋性，為鍍製超薄薄膜的理想方式。鍍製時採用La(iPr2-FMD)3做為鑭的前趨物，TEMAH (Hf(NC3H8)4)做為鉿的前趨物，二者皆以氧氣電漿做為氧化劑進行反應。

本實驗第一部分將探討La2O3、HfO2薄膜之材料性質，包含薄膜均勻性、XPS、GIXRD、AES、TEM等材料分析，以及製作成MIS電容結構(Metal – Insulator – Semiconductor )量測此電容在不同熱處理溫度之電性曲線。

第二部分La-Hf-O三元氧化物之性質研究，鍍製二種不同結構之La-Hf-O薄膜：La2O3/HfO2 (Stack)、LaHfOx (Alloy)，其中La2O3、HfO2的鍍製cycle數比均為1:1，進行材料分析以及電性量測， 探討熱處理溫度對材料性質的影響。

關鍵字

原子層化學氣相沉積法 ； 氧化鑭 ； 二氧化鉿 ； 鑭-鉿氧化物

並列摘要

無資料

並列關鍵字

ALCVD ； La2O3 ； HfO2 ； LHO ； XPS

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