(AlCrTaTiZr)100-xNx高熵濺鍍薄膜電化學行為之研究

Electrochemical behavior of (AlCrTaTiZr)100-xNx coatings prepared by Reactive DC sputtering

葉菁馥

指導教授 ： 葉均蔚 ； 施漢章

國立清華大學/工學院/材料科學工程學系/碩士(2009年)

摘要

本實驗以直流反應磁控濺鍍法，通入氬、氮氣，在導電玻璃、低碳鋼及6061鋁合金基板上鍍製AlCrTaTiZr高熵合金合金膜以及氮化膜，於0.1M H2SO4或3.5 wt.% NaCl中進行抗蝕測試。
　　415℃下所鍍的非晶合金膜，緻密性高，無擴散通道，抗蝕表現不錯。氮通量5%時，氮含量32at%，為奈米晶散佈於非晶基地相結構，缺乏溶液離子擴散通道，抗蝕性最佳。氮通量15%，粗大柱狀晶，柱狀晶隙成為溶液擴散至基板的快速捷徑，抗蝕性差。繼續增加氮通量，柱狀晶結構轉變細小且緻密，擴散通道縮小，抗蝕性有所提升。而外加偏壓鍍膜使晶粒細化，且增強基板間鍵結，可提高硬度及抗蝕性。
　　腐蝕機制可分為三種，分別為鍵結、擴散通道以及界面鍵結。鍍膜在不同基板於不同溶液中，每種機制所占的重要性則有所不同。

關鍵字

高熵合金 ； 電化學

參考文獻

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