本研究利用真空蒸鍍製備純白白光有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)於可撓式基材polyethersulfone (PES);其中,先在indium tin oxide (ITO)與PES間鍍製一層薄silicon dioxide (SiO2),以平整化PES基材表面,當ITO鍍製溫度為200 ℃,最大發光效率可達6.5 lm/W,最大亮度為12,000 cd/m2,Commission International de L’Eclairage (CIE)色座標為(0.321, 0.339),其中,發光層所選用主體為可發純藍光之螢光分子1-butyl-9,10-naph-thalene-anthracene(BANE),掺雜染料為螢光紅光4-(di-cyanomethylene)- 2-methyl-6-(julolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran(DCM2),其乃藉溶劑預溶混合此主體及紅光染料,所得混合物蒸鍍源再以蒸鍍製作成單一發光層;所配合之電洞傳輸層為N,N’-bis-(1-naphthy)-N,N’diphenyl-1,1’- bi-phenyl-4-4’-di –amine (NPB)、電子傳輸層為2-2’-2”-(1,3,5-benzin- etriyl)tris-(1-phenyl-1-H-benzimi- dazole) (TPBi)、電子注入材料為lithium fluoride (LiF)、導電陰極為aluminum (Al);此元件結構為PES/SiO2 (150Å)/ITO (500Å)/NPB (550Å)/白光發光層(350Å)/TPBi (400Å)/LiF(8Å)/Al(1500Å)。為獲得更高效率白光,另選用一具有高電致發光之藍綠光主體材料di(4-fluorophenyl) amino-di(styryl)biphenyl (DSB),摻雜0.15 wt%紅光染料DCM2之白光,其最大亮度為9,000 cd/m2,在110 cd/m2時,最大發光效率13.2 lm/W,所得CIE色座標為(0.391, 0.438)。獲此高效率的原因可歸因為:一、最適化之SiO2薄膜厚度(150 Å)以降低PES表面粗糙度,二、高溫鍍製(200 ℃)ITO薄膜,有最佳之導電性,三、高效率藍綠光DSB主體材料之選擇,四、具有高Förster能量轉移效率之主、客體發光系統,可使電子-電洞產生之激態能量,有效轉移給客發光分子;五、能階適當之元件設計,使電洞、電子容易注入發光層,進而被侷限於單一發光層中,增加發光效率。