本研究首度探討10元及11元高熵合金氧化物的結構及電性,以期能開發具高溫超導的新材料,以硝酸鹽溶液法及粉末確認可成功配製傳統高溫超導氧化物Y1Ba2Cu3O6.948及Bi2Sr2Ca1Cu2O8後,即以同樣的製程配製更多元的高熵合金氧化物。所設計的組成分為三個系統,即AETCu3Ox、AESCu3Ox及AEHCu3Ox,其中A為等莫耳鹼金屬Li、Na及K;E為等莫耳鹼土金屬Mg、Ca、Sr及Ba;T為等莫耳過渡金屬Fe、Co及Ni;S為等莫耳Bi及Pb;H為等莫耳Mg及Zn。每一系統又分為四種配比,如A1E1T1、A2E1T1、A1E2T1及A1E1T2,故共計12種氧化物。 結果顯示本實驗氧化物之平衡結晶相為2~3個,遠低於Gibbs phase rule所預測的最大相數,每一個相的組成皆為多元,但溶入比例有所差異,由於許多相屬於鈣鈦礦晶體結構,顯示鈣鈦礦結構對多元離子的溶入性很高,高熵效應對此簡單固溶相的形成扮演重要角色。 本實驗氧化物皆呈現半導體特性,推論其具有適當的能隙,且由於多元離子的摻雜,提供許多額外能階及增加載子濃度。在缺氧的Ar氣氛下燒結,除了AESCu3Ox系統氧化物電阻率比大氣燒結者低外,其餘皆反而較高。若加石墨坩鍋強還原性燒結,則除使A1E1T2Cu3Ox系統氧化物電阻率提升外,其餘含Bi、Pb及Cu者皆有被還原出金屬的現象。此結果因而指出降低電阻率的方向,即AESCu3Ox需缺氧燒結,另兩種應加氧燒結。 雖然本研究尚未能作出高溫超導新材料,但由所呈現的半導體行為,相信再透過配比摻雜及氣氛燒結的改進,仍很有機會使半導體態轉為超導態。