矽晶太陽能電池之研究：以濕蝕刻法製作背面含氧化鋁局部鈍化層

Study of Crystalline Silicon Solar Cell:Rear Local Contact with Al2O3 Passivation Layer by Wet Etching

劉勇呈(Yong-Cheng Liu)

指導教授 ： 王立康

國立清華大學/電機資訊學院/光電工程研究所/碩士(2013年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2013.00006

摘要

摘要
本研究嘗試以濕蝕刻法製作背面局部鈍化（PERL）矽晶太陽能電池片，希望能夠以印刷抗蝕刻膠搭配濕蝕刻方式取代雷射開孔。首先設計了一個使用全印刷式的製程流程來達成這個結構，並討論少數載子壽命優化原子層化學氣相沉積Al2O3層退火溫度和時間，以量子效率檢視正背面的鈍化效果，藉由此結構方法，成功製作了背面氧化鋁局部鈍化太陽能電池，並將效率提升約0.4%。最後以C-V量測方式觀察氧化鋁層的負電荷變化及計算其密度，也確定了適當的退火方式對於負電荷的增加，使場效應鈍化更加明顯。

關鍵字

太陽能電池 ； PERL ； 氧化鋁鈍化

參考文獻

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