矽晶太陽能電池之研究:使用氧化法形成背面氧化鋁鈍化層

Study of Crystalline Silicon Solar Cell:Formation of Al2O3 Passivation Layer by Oxidation Method

李仲洋

指導教授 ： 王立康

國立清華大學/電機資訊學院/光電工程研究所/碩士(2013年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2013.00007

摘要

對於太陽能電池來說，表面缺陷為整體缺陷的重要來源，本實驗在想藉著沉積鈍化層，來達到提高少數載子生命周期的目標。而氧化鋁在一些文獻中指出有著良好的鈍化效果，以ALD沉積之氧化鋁帶有負電荷，對P型矽基板可以在背面有著良好的鈍化效果。
氧化鋁的沉積方式也很多樣，可以由ALD、PECVD、濺鍍...等方式成長，我們想嘗試新的方法，用氧化法在矽表面生長出一層氧化鋁。並量測其少數載子生命周期是否有增加來作為鈍化效果的依據。
最後將此種方式生長之氧化鋁層作為鈍化層，製作PERL結構之太陽能電池，並量測各項參數觀察是否有鈍化之功效。

關鍵字

氧化鋁 ； 鈍化 ； 太陽能電池

參考文獻

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