金屬矽化物擁有高熔點、高穩定性和低電阻等優點,常應用於積體電路中作為閘極和接觸之材料。而在深次微米的積體電路技術中,由於線寬、接觸面積和接觸深度都逐漸縮小的情況下,奈米尺寸金屬矽化物的發展也漸漸受到重視。而本研究主要著重在一維矽化鈷奈米線的製備,以及探討其在場發射性質上的特性。
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