矽摻雜鍺銻合金之電性分析

林書宇

指導教授 ： 周麗新

國立清華大學/工學院/材料科學工程學系/碩士(2010年)

摘要

本實驗主要為建立及穩定電性系統恆溫程式，藉此去了解材料的結晶動力學行為。然後再對不同矽摻雜濃度的TiW/GeSb9 -xSi/ZnS-SiO2三層膜結構試片進行恆溫及等升溫電性量測。
實驗結果顯示(1)等升溫部分：濃度增加使材料的結晶溫度上升，由未摻雜的185℃上升到10.91 at.%矽摻雜的235℃；結晶活化能隨矽原子加入而先減後增，由未摻雜的4.432 eV下降到1.56at. %矽摻雜的3.036 eV，隨後又隨矽濃度上升而增加到10.91 at.%的3.718 eV。另外導電活化能的結果顯示在矽摻雜後材料由p-type半導體轉變為n-type半導體。(2)恆溫部分：在結晶溫度下越低的溫度退火持溫，孕核時間會隨著氧原子摻雜量的增加而減少；而由JMAK plot所求得的動力學指數顯示，矽原子的摻雜確實會使GeSb9的結晶機制改變。

關鍵字

相變化 ； 鍺銻合金 ； 結晶動力學

參考文獻

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