- 學位論文
HfO2/La2O3/HfO2疊層中不同La2O3位置對電性與材料性質的影響
Effects of Different Locations of La2O3 in HfO2/La2O3/HfO2 Stacks on Electrical and Material Properties
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摘要
由於原子層化學氣相沉積法(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD)具有極佳的厚度控制能力、均勻覆蓋能力以及低溫製程等優點，所以為沉積薄膜的方法中極佳的選擇。 本實驗將採用ALCVD以TEMAH做為Hf的金屬前驅物，D2O做為氧化劑，沉積HfO2，以La(iPr2-FMD)3做為La的金屬前驅物，O2電漿做為氧化劑，沉積La2O3，製備HfO2/La2O3/HfO2 high-k疊層。 實驗設計將製備三種具不同La2O3位置的HfO2/La2O3/HfO2 high-k疊層，並分別處以PDA700℃及PDA900℃熱處理，熱處理後使用E-gun沉積Ti上電極，RF sputter沉積Pt下電極，製備成MOS電容進行電性量測。 實驗討論部分將藉由材料分析SIMS、IPXRD及XPS探討相同熱處理溫度PDA700℃下，三種具不同La2O3位置的high-k疊層電性上表現不同的原因。在探討完PDA700℃的情況後，再將PDA900℃所得結果與PDA700℃結果做比較，討論在同一結構下，造成兩種不同熱處理溫度具不同電性表現的原因。
參考文獻
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