氮化銦/矽異質接面電子特性之研究

Electronic properties of InN/Si hetero-junction

黃任鵬(Jen-Peng Huang)

指導教授 ： 葉哲良

國立清華大學/工學院/動力機械工程學系/碩士(2008年)

摘要

隨著剩餘的石化能源越來越少，人類積極尋找各種替代的能源。太陽是地球上所有生命的能量來源，而太陽能電池是人類可以直接利用太陽能的有效方法之一。如何使目前的太陽能電池產品往更高的效率邁進，一直是大家的研究目標。
目前市面上大部分的太陽能電池是以多晶矽為材料；矽的能隙(band gap)約為1.12eV，使得太陽能電池只能對大約四分之三的地表輻射進行光電轉換。為了使太陽能電池對太陽輻射的各個波段進行利用，同時使用多種材料的多接面太陽能電池(multi-junction solar cell)就因應而生。而為了將不同的材料整合在同一個太陽能電池裡，異質接面(hetero-junction)的研究就顯得重要。
氮化銦因為擁有優越的電子傳遞特性，是近年來被廣泛研究的重要半導體材料之一。氮化銦的能隙約為0.7eV，與矽相比小了許多，可以將更大範圍的太陽輻射轉換成電流。本論文探討氮化銦與矽形成的異質接面電子特性，希望能將其應用在太陽能電池上，增加現有太陽能電池的效率。

關鍵字

氮化銦 ； 異質接面

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HASH(0x1aada440) ； HASH(0x1aae16b0)

參考文獻

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