以電化學沉積法製備銅銦硒薄膜太陽電池之吸收層抗反射層透明導電層與背部電極

Electrochemical Preparation on the Back Contact, Absorber Layer, Anti-reflective Layer and Conductive Layer of a CuInSe2 Thin Film Solar Cell

吳建良(Chien-Liang Wu)

指導教授 ： 李志浩

國立清華大學/原子科學院/工程與系統科學系/碩士(2008年)

摘要

在本實驗中，我們嘗試著以全電化學沉積法來製作整個CuInSe2薄膜太陽能電池元件，如此，在往後製作大面積太陽能電池元件時，必能大幅降低製程成本。
從X光繞射圖，可以確定我們已經成功利用電化學沉積法來製作出CuInSe2太陽能電池元件的背部電極、主吸收層、以及抗反射層與透明導電層。而從SEM與EDS的結果，我們了解在主吸收層CuInSe2薄膜的製作過程中，可以利用pH值以及沉積電位的改變，來調整CuInSe2薄膜為p型或n型半導體，而在透明導電層ZnO摻雜鋁的部分，我們也可以由沉積電位的改變來調整鋁在ZnO薄膜中的比例。
在製作完成CuInSe2薄膜太陽電池元件後，我們從IV曲線得知，雖然沒有效率的產生，但是有二極體的圖形出現，而造成沒有效率的原因，包括，CuInSe2薄膜未硒化退火，使得缺陷過多，以及透明導電層和抗反射層的電阻值太高等問題。
因此，如何減少電沉積法所產生的缺陷以及如何降低透明導電層的電阻值，將是往後研究發展的重點。

關鍵字

銅銦硒太陽能電池 ； 電沉積

並列摘要

無資料

並列關鍵字

CIS solar cell ； electrodeposition

參考文獻

InGaP/GaAs-based multijunction solar cells. 13 (6): 495- 511 (2005)

[2] Manuel J. Romero, Chun-Sheng Jiang, Rommel Noufi, and Mowafak Al-Jassim, Lateral electron transport in Cu,In,GaSe2 investigated by electro-assisted scanning tunneling microscopy, Applied Physics Letters , 87, 172106 (2005)

[4] 劉禮榮，佈值鐵離子之CuInSe2薄膜的晶體結構、磁性及光學能帶研究，國立清華大學碩士論文(2007)

[5] Hedstrom, J, ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with improved performance. IEEE, p. 364-371 (1993)

[7] A. Shimizu, Thin solid films, 361, 193 (2000)