電漿電子密度與射頻峰值電壓回授控制電漿蝕刻製程之研究

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黃竑旻(HASH(0x1bc4aa70))

指導教授 ： 林強 ； 柳克強

國立清華大學/原子科學院/工程與系統科學系/碩士(2008年)

摘要

蝕刻過程中電漿參數的變化，對多晶矽在氯氣電漿中蝕刻率穩定性有相當重要的影響。電漿參數中，又以離子通量、電漿電子密度與離子轟擊能量為影響蝕刻率的關鍵電漿參數。為了有效穩定蝕刻率，本研究使用空橋式微帶線微波干涉儀量測電漿電子密度與射頻阻抗計量測射頻峰值電壓作為受控參數，比較開迴路控制與閉迴路控制系統下的蝕刻結果。致動器為兩部13.56 MHz的射頻功率產生器，一部供應電漿功率，可調整電漿電子密度；另一部提供射頻偏壓功率，可調整射頻峰值電壓。
在控制器設計方面則是採用模糊理論所設計的兩個獨立數位模糊控制器，主要原因是感測器的訊號雜訊較大，用傳統比例-積分控制器會造成致動器動作過於頻繁，故使用模糊控制器，以克服此缺點。本研究探討控制系統於腔壁暫、穩態條件下之性能與抑制外界干擾的能力。最後比較閉迴路控制系統對於穩定蝕刻率的成效。

關鍵字

電漿蝕刻 ； 回授控制 ； 電漿電子密度 ； 模糊控制器

並列摘要

無資料

並列關鍵字

plasma etching ； feedback control ； plasma electron density ； fuzzy logic controller

參考文獻

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