五苯環在疏水性氮化鋁上的成長機制研究

The growth of pentacene on hydrophobic AlN

古國欣(Kuo-Hsin Ku)

指導教授 ： 黃振昌

國立清華大學/工學院/材料科學工程學系/碩士(2008年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2008.00457

摘要

本論文研究五苯環成長於介電層薄膜時的初期的成長機制。我們觀察到五苯環在氮化鋁以及在二氧化矽的表面成長時，以完全不同的堆疊方式向上成長。此成長模式的差異主要是因為兩種基材的表面能不同所導致。從原子力顯微鏡的影像結果可以看出，低表面能的氮化鋁薄膜，讓五苯環以二維的平面島狀方式成長，而表面能較高的二氧化矽則讓五苯環以成核密度較高，三維的方式向上堆疊。因此載子在元件的底層傳輸時，成長於氮化鋁薄膜的五苯環，由於晶界較少，提供載子一個順暢的傳輸路徑，提高了元件的載子遷移率。爲了確定五苯環薄膜的性質，也以X光繞射、拉曼光譜觀察其結構性質的不同。
了解氮化鋁作為介電層的優勢之後，我們進ㄧ步探討製程參數的調整，以便改善其薄膜性質。實驗結果顯示以低製程溫度，低電子鎗功率，可以得到較平整的氮化鋁薄膜，有利於載子的傳輸。以高氮氣/氬氣流量比成長，可避免薄膜內的鋁原子過多，而降低元件漏電流。

關鍵字

五苯環 ； 氮化鋁 ； 有機薄膜電晶體

並列摘要

無資料

並列關鍵字

pentacene ； AlN ； OTFT

參考文獻

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