有或無中間層之鈮酸鋰晶圓與矽晶圓異質接合研究

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林沂棻(Yi-Fen Lin)

指導教授 ： 胡塵滌

國立清華大學/工學院/材料科學工程學系/碩士(2008年)

摘要

本論文藉由晶圓接合方法將鈮酸鋰鐵電材料與矽基板或表面鍍HfO2中間層之矽基板接合，再將鈮酸鋰晶圓薄化後，製作類似FeRAM結構，以及矽晶圓與矽晶圓表面分別使用射頻磁控和直流磁控兩方法鍍鐵薄層後將兩矽晶圓接合，並探討其差異。
利用晶圓接合方法將鈮酸鋰鐵電材料與矽基板接合，Z-cut鈮酸鋰與矽晶圓接合強度較Y-cut鈮酸鋰與矽晶圓接合強度來的強，將鈮酸鋰薄化後量測到微弱的鐵電性質；利用表面鍍HfO2中間層之矽晶圓未經過900℃退火結晶，施予電漿活化有部分接合區域產生。表面鍍HfO2中間層之矽晶圓經過900℃退火結晶3min後，因為表面粗糙度的過大而接合失敗；利用直流磁控濺鍍機在矽晶圓上鍍予鐵薄層後，由於表面的粗糙度太大無法直接接合。射頻磁控濺鍍機鍍予鐵薄層的矽晶圓直接接合可觀察到部分接合區域產生，但在試片表面上無法偵測到鐵元素，應為活化效果所造成。

關鍵字

異質接合 ； 鈮酸鋰 ； 電漿活化

並列摘要

無資料

並列關鍵字

heterogenous bonding ； LNO ； Plasma Activated

參考文獻

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