製程參數及電場效應對於成長單壁奈米碳管影響之研究

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林坤賢(Kun-Hsien Lin)

指導教授 ： 戴念華

國立清華大學/工學院/材料科學工程學系/碩士(2008年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2008.00489

摘要

摘要

本研究在不同製程參數下合成奈米碳管，發現奈米碳管會因不同溫度及壓力造成碳原子濃度及催化劑顆粒大小的差異而產生不同形貌。
本實驗進一步利用不同角度的尖點改變催化劑的幾何因子來成長奈米碳管，皆可達到跨接單根奈米碳管的目的。同時在成長過程中輔以施加電壓的方式，並配合軟體之電場模擬，證明奈米碳管會受到電場的影響而順著電場線的方向排列；且調變施加電壓的時間亦可證明奈米碳管的成長機制為底端成長機制。
因此利用改變施加電壓的方式可成功使碳管順著平行電場線方向成長，使製程利於製作跨接奈米碳管電晶體或其他的奈米碳管電子元件。

關鍵字

單壁奈米碳管 ； 電場

並列摘要

無資料

並列關鍵字

SWCNT ； electric field

參考文獻

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