本實驗是以單區水平爐管加熱,並通入Ar + 10 % H2的催化氣體,以熱蒸發法成長奈米線。實驗方式是將SiO與Sn粉混合放入爐管中加熱,粉末反應溫度設定為1350 °C。隨著基板擺放的遠近,沉積溫度會有所改變,得到的奈米線結構因此不同。成長出的奈米線為氧化矽非晶外層包覆著矽單晶的核殼 ( core-shell ) 結構。試片沉積奈米線前,會先沉積一層氧化層,其厚度與溫度、位置有關。我們並且推測了氧化層及奈米線的成長機制。光學性質方面,CL量測結果發現在光譜圖452 nm ( 藍光 ) 與624 nm ( 紅光 ) 處有峰值,也可望在發光元件上有應用。電阻率的量測則發現其電阻率值與理論值接近。
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