本論文在研究不同材料下較佳的對稱性X光共振腔結構。所謂的對稱性X光共振腔指的是由兩片厚度相同的晶體平板所組成的共振腔。我們所選用的材料有兩種:矽與鑽石,此兩種材料皆為鑽石結構。矽乃是常見的半導體材料,用來製作X光共振腔,具有經濟與簡便的好處。而鑽石材料雖然昂貴,但反射率較矽材料為佳,故我們選用此兩種材料進行模擬。 為了提高F值,我們先選出此鑽石結構下,較少繞射光的背向反射方向。接著,以動力繞射理論為基礎,使用Yu. P. Stetsko所寫的程式,計算在不同能量下,X光共振腔的穿透與反射強度分佈。藉由改變共振腔兩平板的厚度與間距,進而決定較佳F值的共振腔結構。最後並將入射光假設為高斯波包,模擬在實驗中穿透光的能量掃描強度分佈圖。