沿晶應力腐蝕龜裂(Intergranular Stress Corrosion Cracking, IGSCC)是沸水式反應器中常見的材料老化劣化問題之一。根據文獻資料與實務經驗,若將不鏽鋼管件之電化學腐蝕電位(Electrochemical Corrosion Potential, ECP)控制在低於 -230 mVSHE,則能有效抑制沿晶應力腐蝕龜裂的發生。目前抑制IGSCC的技術只要以加氫水化學(Hydrogen Water Chemistry, HWC)搭配催化性被覆的貴重金屬添加(Noble Metal Chemical Addition, NMCA)為主,尚有以氧化鈦、氧化鋯等抑制性被覆技術(Inhibitive Protective Coating, IPC)。 本研究以氧化鋯做為研究對象,藉由動態熱水沉積法被覆在304不鏽鋼試片表面,來評估被覆試片在高溫純水環境下之防蝕效益,並且使用UV光來模擬反應爐中特有的Cherenkov Radiation環境,藉以激發氧化鋯n型半導體特性,來加強氧化鋯之防蝕效益。根據研究結果顯示,經過氧化鋯被覆處理之試片其ECP會略高於未被覆處理之試片,但卻能有效降低腐蝕電流;被覆試片在UV光照射的條件下,能夠激發氧化鋯n型半導體特性,產生光電流來降低被覆試片之腐蝕電位,更能進一步降低被覆試片本身的腐蝕電流。