高溫處理及再成長界面層於金氧半元件之電與材料特性研究

High Temperature Treatment and Post-Annealing Regrowth of Interfacial Layer on Electrical and Material Characteristics in MOS Devies

廖育諒(Yu-Liang Liao)

指導教授 ： 張廖貴術

國立清華大學/原子科學院/工程與系統科學系/碩士(2013年)

摘要

現今半導體產業元件微縮是必然趨勢，但當元件以二氧化矽做為介電層微縮到1.5 nm以下會導致嚴重的漏電流問題，所以現在閘極介電層都使用高介電值的金屬氧化物取代原有的二氧化矽氧化層，藉此減少漏電流的發生和微縮EOT，本論文方向主要針對高介電值的介電層以及與Si界面的IL(Interfacial-Layer)層做不同處理，期望能更加改善元件品質，進而達到我們的主要目的-微縮EOT與減少漏電流等等電特性上的優點。

關鍵字

金氧半元件

參考文獻

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