- 學位論文
雙對準4H碳化矽垂直型金氧半場效電晶體 之新穎離子佈植遮罩製程研發
Development of Novel Implant Masking Processes for Double Self-Aligned 4H-SiC DMOSFETs
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無資料延伸閱讀
- 蔡宗穎（2015）。使用改良式離子佈植製程來製作雙自我對準4H碳化矽垂直型金氧半場效電晶體〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-2309201616100693
- 李孟家（2009）。橫向高電壓4H-SiC 佈值雙漂移區金氧半電晶體設計與製作〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-1111200916012956
- 楊明賢（2010）。橫向高電壓4H-SiC雙漂移區圓形與線型金氧半場效電晶體設計與製作〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2010.00517
- 陳亭任（2011）。橫向高電壓4H-SiC Double RESURF金氧半場效電晶體設計與製作〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0805201213342116
- 劉冠廷（2020）。Improved Electrical Characteristics in Ge nMOSFETs with Post-oxidation Process〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-2502202114233653