含二硒磷酸配位基之銦、鐵錯合物合成

Synthesis of Indium(Ⅲ) and Iron(Ⅱ) complexes containing Dialkyl Diselenophosphate Ligands

陳建閔(GEM-MIN CHEM)

指導教授 ： 劉鎮維

中原大學/理學院/化學研究所/碩士(2002年)

https://doi.org/10.6840/cycu200200234

摘要

利用二硒磷酸配位基NH4Se2P(OR)2，(dialky diselsnophosphate ligand)(R＝iPr，Et)與InCl3在低溫下加入CH2Cl2反應，可以獲得In[Se2P(OR)2]3 (R＝iPr，Et)的化合物，其幾何結構為八面體的結構，此化合物本身具耐高溫的特性，所以在工業界上可以鍍膜，也可當作有機金屬為原料先驅物的化學氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition MOCVD)技術。
利用[-(Se)SeP(OR)2]2(R＝iPr，Et，nPr)與[CpFe(CO)2]2(Cp＝C5H5)分別在室溫下(R.T.)及高溫下(Reflux)加入toluene反應，室溫下可以獲得褐色Cp(CO)2FeSe2P(OR)2(Cp＝C5H5)(R＝iPr)晶體，高溫下反應4 hr利用管柱層析法可分離出下列錯合物FeCp2，Cp(CO)2FeP(OR)2(Cp＝C5H5) (R＝iPr，Et，nPr)及一些未知化合物。它們的特性經由X-ray單晶繞射儀、NMR光譜儀{31P{1H}，1H，13C，77Se{1H}}、IR光譜儀、CV分析儀、元素分析儀及熔點測定儀完成的。

關鍵字

鐡 ； 二硒磷酸配位基 ； 銦 ； 硒 ； 有機金屬

並列摘要

The reaction of InCl3 with NH4SeP(OR)2 (R= iPr，Et) in CH2Cl2 at low temperature affords In[Se2P(OR)2]3 (R= iPr，Et) complexes two spaces.The geometry at indium is distorted octahedral. The complex can enduer high temperature, so it can use as thin-film precursors in the industry, and it can also be used as precursors in metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD).
The reaction of [CpFe(CO)2]2 with bis (selenophosphoryl) diselenides [-(Se)SeP(OR)2]2 in toluene at amibient temperature gave a dark crystals of Cp(CO)2FeSe2P(OR)2 (R= iPr). A similar reaction at reflux for 4 hr gave dark brown mixture,from which, in order of elution from a silica gel column, the following complounds were obtained : FeCp2、Cp(CO)2FeP(OR)2 (Cp=C5H5) (R= iPr，Et，nPr) and some unknown compounds. The characterizations by X-ray diffraction method、NMR spectroscopies {31P{1H}，1H，13C，77Se{1H}}、IR spectroscopy、elemental analysis and melting point of these compounds were carried out.

並列關鍵字

Indium ； Dialkyl Diselenophosphate Ligands ； Se ； complexes ； Iron

參考文獻

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