- 學位論文
膠溶態硒化鎘量子點經退火之光學特性研究
Effects of rapid thermal annealing on the optical properties of colloidal CdSe quantum dots
摘要
本文利用光激螢光和時間鑑別光激螢光研究Ⅱ-Ⅵ族硒化鎘/硫化鋅（CdSe/ZnS）量子點的光學特性。在光激螢光的分析討論方面，由實驗結果得知當硒化鎘/硫化鋅(CdSe/ZnS)量子點樣品經由快速熱退火的處理過後，其螢光訊號之譜峰位置出現藍位移的現象，而我們將此結果對應至時間鑑別光激螢光的實驗結果上，進而發現載子生命期隨著快速熱退火處理的溫度增加會出現增長的趨勢。這些現象可以由快速熱退火使得量子點的表面形成一層ZnSe來解釋。 除此之外，我們亦觀察到量子點之光激螢光的光譜強度隨著脈衝雷射熱處理時間增加而增加，其光譜強度約增強四倍。此外，當熱處理的時間增加時，量子點的載子生命期亦隨之增加；關於此現象，我們推測將是由於熱處理的過程使得量子點的表面形成鈍化效應，因而造成缺陷減少，並減少非輻射復合效應，導致螢光強度增強與載子生命期時間變長。
並列摘要
In this article, we studied of the Photoluminescence (PL) and time-resolved PL (TRPL)Ⅱ-Ⅵ CdSe/ZnS quantum dots (QDs) which are treated by rapid thermal annealing (RTA) and pulse laser annealing (PLA). We found a blue shift of PL peak and an increase of carrier lifetimes for the CdSe/ZnS QDs after RTA . These observations are explained by the formation of a ZnSe layer after RTA. In addition, we investigate the PL of colloidal CdSe/ZnS QDs after pulse laser annealing (PLA), we found that the intensity of PL enhances about four times as the illuminated time of PLA is 300 seconds. The passivation of the surface defects by PLA is used to explained this enhancement.