應用DMAIC改善晶圓品質探討－以CMP為例

Implement DMAIC to Improve Wafer Quality － Example of CMP Process

彭竑凱(Hong-Kai Peng)

指導教授 ： 溫武義

中原大學/電機資訊學院/電子工程研究所/碩士(2016年)

https://doi.org/10.6840/cycu201600619

摘要

積體電路元件構造的尺寸不斷地縮小，在半導體製造流程中，化學機械研磨因製程的特殊性，它是藉由化學反應與機械研磨方式，使用研磨液將
晶圓表面沉積的薄膜移除後，經過清洗流程將表面附著的研磨液/反應生成物清除，也因為如此容易遭遇晶圓表面清潔不佳或是晶圓表面細微的刮傷的問題。
本論文主要目的是使用六標準差為工具，以半導體製造流程中的化學機械研磨為對象，透過相關設備、製程參數去了解，分析所列因子對晶圓表面造成細微刮傷原因與改善，找出最適當的設備與製程參數做為改善之依據，進一步提升晶圓良率。

關鍵字

化學機械平坦化 ； 刮傷 ； 六標準差

並列摘要

Chemical-Mechanical Planarization (CMP) plays an important role when the metal line scales of integrated circuit (IC) are getting small. CMP is utilizing the chemical reaction and mechanical polishing to reach the planarization requirement of wafer surface. When a CMP process finished, the slurry residues and the fragments of consumable parts (e.g., polishing pad) would be attached on the wafer surface, which needs another cleaner procedure to remove the residues. However, the cleaner procedure may also suffer scratch issue on the wafers surface.

This study is employing the statistic method to analysis the factor that caused wafer scratch of CMP process, and tries to find the optima process parameter for defect improvement.

並列關鍵字

Chemical-Mechanical Planarization (CMP) ； scratch ； statistic method

參考文獻

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