摘要
迄今，矽奈米線(SiNWs)可使用不同的方法製作，例如雷射濺鍍、熱蒸鍍和微影技術。然而，由這些方法所製成之矽奈米線大多為非固定位置與方向或是由於自組式成長而形匯聚及扭轉等情況，限制了在奈米電子學之應用。 而本研究中我們結合由上而下之半導體製程技術並結合局部的矽氧化作用之技術製作直徑5 ~ 20奈米，長度近似於400奈米之多晶矽奈米線。局部矽氧化作用乃利用氮化矽於矽墊層區域防止矽氧化，並於介於源、汲極間電子傳輸之通道之矽線開窗以進行局部的矽氧化作用以形成矽奈米線。 此外，利用濕式蝕刻使多晶矽奈米線形成獨立懸掛橋樑結構，並定義多晶矽閘極，製作出全環繞式(gate all around；GAA)閘極奈米線場效電晶體。隨著元件之完成，以穿透式電子顯微鏡(TEM)確認元件之結構，並做基本電性之探討。
參考文獻
[3]. 林庭宇，矽奈米線場效電晶體之研究，國立臺灣師範大學光電科技研究所碩士論文，2008。
[13]. Y. Huang and C. M. Lieber, Pure Appl. Chem. 76 (12), 2051 (2004).
[19]. J. Fu, N. Singh, K. D. Buddharaju, S. H. G. Teo, C. Shen, Y. Jiang, C. X. Zhu, M. B. Yu, G. Q. Lo, N. Balasubramanian, D. L. Kwong, E. Gnani and G. Baccarani, IEEE Electron Device Lett. 29, 518 (2008).
[21]. S. C. Rustagi, N. Singh, W. W. Fang, K. D. Buddharaju, S. R. Ornampuliyur, S. H. G. Teo, C. H. Tung, G. Q. Lo, N. Balasubramanian and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 28, 1021 (2007).
[30]. S. C. Rustagi, N. Singh, W. W. Fang, K. D. Buddharaju, S. R. Ornampuliyur, S. H. G. Teo, C. H. Tung, G. Q. Lo, N. Balasubramanian and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 28, 1021 (2007).