- 學位論文
利用溶液法合成FeS2 奈米晶體並組裝光二極體異質接面作用於可見光到近紅外光的光偵測
Solution-processable pyrite FeS2 nanocrystals for the fabrication of heterojunction photodiodes with visible to NIR photodetection
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摘要
在本篇論文中，組裝以 ITO / ZnO / FeS2 NCs / MoO3 / Au的光二極體異質接面元件並以的二硫化鐵奈米晶體 (FeS2 NCs) 作為可見光 (Vis) 到近紅外光 (NIR) 的光偵測主動層，並利用氧化锌 (ZnO) 作為元件電洞阻擋層和三氧化鉬 (MoO3) 做為電洞提取層之研究。藉由金屬氧化層置入異質接面元件下，可以大幅抑制漏電流且減少元件的串聯電阻，在照射 A.M. 1.5 強度 100 mW/cm2 下，外電壓施予 -1 V 時可提供電流開關比值達 8000 的高整流比率光二極體。除此之外，此二硫化鐵奈米晶體異質接面元件可以在外加負偏壓下，對於可見光到近紅外光 ( 450 nm ~ 1150 nm ) 皆有光電流反應。在最後，我們呈現出以地球含量多且非毒性的二硫化鐵結合金屬氧化物層，所形成的異質接面光偵測元件，是有潛力能夠應用於近紅外光偵測器上。這個研究成果對於以二硫化鐵奈米晶體薄膜形成之光伏特元件中是相當重要的一環。
並列摘要
In this thesis, this study demonstrates a FeS2 NCs as Visible to Near Infrared (NIR) active layers based heterojunction photodiode with a device ITO/ZnO/FeS2 NC/MoO3 /Au. Also, we used ZnO as the hole blocking layer and MoO3 as the hole extraction layer for the devices. The formation of FeS2 NCs heterojunction photodiode with satisfied band alignment by the insertion of metal oxide layers effectively suppresses the leakage current and reduces the serial resistance of the device, providing the photodiode with a high on/off ratio of up to 8000 at -1 V under A.M. 1.5 illumination (100 mW/cm2 ). Moreover, the FeS2 NCs heterojunction photodiode promised photoresponse from visble to near infrared (450 nm ~ 1150 nm) at negative bias voltage. In conclusion, the result of using the earth-abundant and non-toxic pyrite nanocrystals (FeS2) /metal oxides heterojunction photodiode device indicates its potential applications in infrared photodetector and has provided a crucial step toward the success in producing colloidal pyrite NCs thin films for low-cost and large-area photovoltaic.
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