本論文的主要研究樣品為K3H(SeO4)2晶體和K3H(SO4)2晶體,我們對樣品晶體進行光學觀察、熱分析測量、阻抗測量等實驗,再根據實驗結果分析晶體的特性。 我們使用偏光顯微鏡觀察樣品晶體的光學性質,並依據理論計算其鐵彈性邊界。利用加熱台在偏光顯微鏡下加熱晶體找出K3H(SeO4)2晶體發生鐵彈性相變的溫度為108oC。而K3H(SO4)2晶體沒有觀察到鐵彈性相變,在溫度上升至206 oC時晶體發生不透光的現象;我們對樣品晶體進行熱分析測量,測量晶體中熱量變化與溫度的關係,找出發生熱量變化的peak溫度與此時的熱量變化數值,K3H(SeO4)2晶體的peak溫度為110.5oC、熱量變化 H=3.59kJ/mole。K3H(SO4)2晶體有二個主要的peak,其peak溫度分別為206.2oC、269.1oC, H值分別為18.4、5.64(kJ/mole)。我們利用阻抗分析儀測量樣品晶體的阻抗,晶體可以模擬為一RC並聯電路,經由計算得到晶體的電容率、導電係數、活化能、弛豫時間,藉由這些數值了解樣品的介電特性與溫度、頻率的關係。結果顯示這兩個晶體在溫度上升後,其導電性質皆進入快離子導體態,他們的導電率皆有 的關係。 使用偏光顯微鏡觀察K3H(SO4)2晶體時,在溫度上升至206 oC時晶體發生不透光的現象,其熱分析測量所得到的總熱量變化數值也與一般A3H(XO4)2(A=NH4,K,Rb;X=S,Se)這類化合物發生結構相變時的數值差異很大,這些現象我們認為是該晶體表面熱分解所造成。