摘要
本論文使用了拉曼散射光譜和UV/VIS/IR反射光譜這兩種光學方法，來分析長在低溫成長矽(LT-Si)上的矽鍺合金層的特性，其矽的成長溫度從350oc到600oc。在拉曼散射光譜中，除了LT500oc(＃323)樣品多了513cm-1的聲子訊號外，主要都可觀測到Ge-Ge(287.7cm-1)、Si-Ge(405cm-1)、Si-Si(503cm-1)、Si(520cm-1)等振動模的聲子訊號。由聲子的位置我們可以分析得知，除了＃323樣品的矽鍺合金層受有局部不均勻的應力外，其餘五片樣品都是無應力作用的。另外，由反射光譜，我們也發現，只有＃323樣品在2.7ev∼3.6ev的能量範圍呈現Fano的譜圖，印證了其合金層有特殊的結構存在，這結構致使合金的E1能帶，提升到3.18ev。其餘五片，可以利用將反射光譜做KK轉換後所得到的介電係數( 和 )做二次微分，求得能帶E1＝2.98ev，E1+Δ1＝3.07ev。我們也可以間接地從Δ1＜0.15ev，證實矽鍺合金無受應力的作用。 另外，我們還利用反射光譜中干涉效應的譜圖部份，擬合了矽鍺合金層的厚度；也利用拉曼光譜中Si和relaxed SiSi 振動模的聲子強度比，計算矽鍺合金層的吸收係數；並探討了溫度對聲子位置的效應。
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