可任意控制輸出之多值邏輯電路設計

Design of Multiple-Valued Logic Circuit with Arbitrarily Controlling the Output State

陳彥汶(Yan-Wun Chen)

指導教授 ： 蔡澈雄

共同指導教授 ： 甘廣宙(Kwang-Jow Gan)

崑山科技大學/工程學院/電子工程研究所/碩士(2010年)

https://doi.org/10.6828/KSU.2010.00090

摘要

本論文是以負微分電阻元件(NDR)為基礎來設計電路，其架構是由氧化半導體場效電晶體(MOSFET)及異質接面電晶體(HBT)所構成的等效電路，電路架構是由三個NMOS及一個HBT所組成，我們稱此元件為MOS-HBT-NDR元件。在串聯或並聯N個NDR元件後，可以在其電流-電壓曲線上獲得N個峰值與谷值，並且其電流-電壓曲線具有獨特的摺疊特性，此特性可以幫助減少電路所使用的元件數，並且降低電路的複雜度，因此我們可以利用此特性來設計多值邏輯電路。

關鍵字

負微分電阻元件 ； 多值邏輯電路 ； NDR

並列摘要

In this paper，We design circuits which base on negative-differential-resistance(NDR) devices，NDR device is composed of metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) and hetero junction-bipolar-transistor(HBT)。N NDR devices are connected in series or parallel，they show the folding I-V characteristics which have N peaks and N valleys。The folding I-V characteristics can reduce the number of devices which will be used and complexity。We are interesting in the multiple-valued logic circuit。

並列關鍵字

Negative-Differential-Resistance Device ； Multiple-Valued Logic Circuit ； NDR

參考文獻

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