- 學位論文
金屬氧化物半導體控制二極體元件之簡化製程以改進元件之特性及製造成本
Simplified Process for MOS-Controlled Diode (MCD) to Improve Device Characteristics and Manufacturing Costs
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延伸閱讀
- 張新君（2006）。金氧半元件金屬閘極和高介電係數介電層之製程整合研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2006.00067
- 洪晧智（2012）。應用較高介電層及電漿處理界面層以改善金氧半元件電特性〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2012.00311
- 方銘顗（2006）。利用不同界面處理以改善HfTaN閘電極金氧半電晶體之電特性〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2006.00151
- Chen, T. Y. (2011). Process Development and Characterization of MOS Capacitor with Ultra-thin Oxide [master's thesis, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU.2011.02956
- Liu, Y. C. (2012). Design and Implementation of a 10-bit 250-MS/s Current Steering Digital-to-Analog Converter in 0.18μm CMOS Process [master's thesis, National Chi Nan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6837/NCNU.2012.00015