以陽極鋁氧化法形成奈米孔陣列

Nano-pore Arrays Fabricated by Anodic Aluminum Oxidation

林堅楊(Jian-Yang Lin) ； 連培榮(Pei-Jung Lien) ； 楊庭毓(Ting-Yu Yang) ； 洪偉欽(Wei-Chin Hung) ； 鄧育庭(Yu-Ting Deng)

《先進工程學刊》 4卷1期 (2009/01) Pp. 71-75

https://doi.org/10.29948/JAE.200901.0010

摘要

本研究探討了具奈米級孔洞陣列之陽極氧化鋁(AAO)基板之製作。實驗上運用高純度鋁箔與蒸鍍在矽晶圓上之鋁薄膜兩種基板來製作奈米級多孔性之陽極氧化鋁基板，並經由製程條件之控制，以獲得均勻性佳且具排列性之孔洞。於場發射掃描式電子顯微鏡分析下，發現在較低溫(5℃)下，以二次陽極氧化過程所製作之AAO孔洞，會有較好之均勻性與排列性；至於AAO孔洞之直徑介於48 nm至122 nm之間，並可藉由陽極氧化電壓及氧化時間來控制之。

關鍵字

奈米級孔洞陣列 ； 陽極氧化鋁 ； 場發射掃描式電子顯微鏡

並列摘要

In this work, the preparation of the nanopore arrays of anodic aluminum oxide (AAO) substrates has been investigated. AAO nanopore arrays with good uniformity were obtained by using the two-step anodization process at 5℃ as observed with Field-Emission Scanning Electron Microscope (FESEM). Also, the diameter of the AAO nanopores can be controlled by the anodization voltage and time. The pore size of the AAO nano-pores is within 48 nm to 122 nm.

並列關鍵字

Nanopore arrays ； anodic aluminum oxide AAO ； FESEM