延伸閱讀
- 林修銘（2019）。以LPE法在Si(111)基板上進行高Ge組成低缺陷密度GexSi1-x橫向磊晶研究〔碩士論文，中原大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6840/cycu201900246
- 張展溢（2011）。在矽基板上之氮化鎵高電子遷移率場效電晶體之基板模型建立與分析〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2011.00547
- 曾瑋豪（2010）。矽覆蓋層及電漿佈植氮化以改善鍺虛擬基板之金氧半電晶體電特性研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2010.00106
- 李東庭（2010）。藉由矽覆蓋層及電漿佈植氮化處理來改善具有純鍺虛擬基板之pMOSFET元件電特性研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2010.00635
- 鐘元彬（2008）。應用金屬閘極與阻擋層整合矽鍺通道以改善電荷陷阱式快閃記憶體元件之效能〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2008.00444