透過您的圖書館登入
IP:13.58.150.59
  • 期刊

Study on Semiconductor Laser Passive Mode-locking

半導體雷射被動鎖模研究

摘要


我們以外腔架構,利用一個時化鎵/砷化鋁鎵多重量子井磊晶結構(增益峰值在840毫微米)作爲增益介質,製作一套被動鎖模半導體雷射。實驗結果顯示,鎖模機制是由兩個位於傾斜波導放大器末端側邊的飽和吸收體所產生。藉著適當調整聚焦透鏡及共振腔的反射鏡,我們可使雷射系統工作在三種不同的區域:(1)連續波輸出;(2)穩定鎖模脈衝輸出;(3)鎖模強度調變脈衝輸出。當共振外腔長度爲50-100厘米的情況下,我們的雷射系統可產生重複率爲150-300 MHz的連續脈衝串。由於鎖模脈衝的能量太低,脈衝寬度無法經由自相關量測得知。然而由測得的頻譜寬度預測,若加以適當的色散補償,輸出脈衝寬度可短至幾百個毫微微秒。

延伸閱讀