GaN LED晶粒製作技術較一般紅光LED複雜,所牽涉到的製程必需包括前段之乾式蝕刻(dry etching)、歐姆接觸(ohmic contact)電極及透明接觸層(transparent contact layer, TCL)之製作、以及後段之藍寶石(sapphire)基板的研磨(lapping)、晶粒劈裂(chipping)等步驟,才能製作出完整的GaN LED晶粒,本文將針對這技術詳加說明。
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