|
1. H. Kawamoto, Proc. IEEE, 90, 460 (2002) 2. C. H. Oh, H. M. Moon, W. K. Yoon, J. H. Kim, M. H. Song, J. J. Kim, J. H. Lee, J. H. Kim, C. S. Im, S. W. Lee, H. C. Choi, and S. D. Yeo, J. Soc. Inform. Display, 12 11 (2004) 3. N. Ibaraki, Mater. Chem. and Phys. 43, 220 (1996) 4. M. Ikeda, SID 95 Digest, 11 (1995) 5. P. M. Fryer, E. Colgan, E. Galligan, W. Graham, R. Horton, L. Jenkins, R. John, Y, Kuo, K. Latzko, and F. Libsch, Mat. Res. Soc. Symp.Pro., 508, 37 (1998) 6. C. Ryu, K. W. Kwon, A. L. S. Loke, H. Lee, T. Nogami, V. M. Dubin, R. A. Kavari, G. W. Ray, and S. S. Wong, IEEE Trans. Electron Devices, 46, 1113 (1999) 7. Michael Vrhel, Eli Saber, and H. Joel Trussell, IEEE Signal Procssing Magn. 22, 23 (2005) 8. M. J. Powell, IEEE Trans. Electron Devices 36, 2915 (1989) 9. H. Sirringhaus, S.D. Theiss, A. Kahn, and S. Wagner, IEEE Electron. Dev. Lett. 18, 388 (1997) 10. Y. Kuo, K. Okajima, and M. Takeichi, IBM J. Res. Dev., 43, 73 (1999) 11. E. G. Colgan, P. M. Alt, R. L. Wisnieff, P. M. Fryer, E. A. Galligan, W. S. Graham, P. F. Greier, R. R. Horton, H. Ifill, L. C. Jenkins, R. A. John, R. I. Kaufman, Y. Kuo, A. P. Lanzetta, K. F. Latzko, F. R. Libsch, S.-C.A. Lien, S. E. Millman, R. W. Nywening, R. J. Polastre, C. G. Powell, R. A. Rand, J. J. Ritsko, M. B. Rothwell, J. L. Staples, K. W. Warren, J. S. Wilson, and S. L. Wright, IBM J. Res. Dev., 42, 427 (1998) 12. H. Takatsuji, E.G. Colgan, C. Cabral, Jr., and J. M. E. Harper, IBM J. Res. Dev., 42, 501 (1998) 13. Y. Kuo, Amorphous Silicon Thin Film Transistors, p. 319, 334, Kluwer, Norwell, MA (2004) 14. Y. S. Hwang, G. C. Jo, G. S. Chae, and I. J. Chung, IDMC’03, 437 (2003) 15. C.O. Jeong, N.S. Roh, S.G. Kim, H.S. Park, C.W. Kim, D.S. Sakong, J.H. Seok, K.H. Chung, W.H. Lee, D. Gan, P.S. Ho, B.S. Cho, B.J. Kang, H.J. Yang, Y.K. Ko, and J.G. Lee, J. Electron. Mater., 31, 610 (2002) 16. Y. S. Diamand, J. Electrochem. Soc., 140, 2427 (1996) 17. J. Jang, S. Lim, and M. OH , Proc. IEEE, 90, 501 (2002) 18. C. C. Lai, H. K. Chiu, Y. P. Lin, Y. C. Kuan and O. Sun, SID 06 Digest, 1882 (2006) 19. P. C. Andricacos, C. Uzoh, J. O. Dukovic, J. Horkans, and H. Deligianni, IBM J. Res. Dev., 42, 567 (1998) 20. M. Akiyama, S. Uchikoga, T. Sakakubo, T.Koizumi, and K. Suzuki, in Dig. Soc. Inform. Display, 10 (1991) 21. S. K. Kim, J. U. Bae, and J. J. Kim, U. S. Patent 6706628, (2004) 22. W. C. Tsai, J. Y. Lai, K. Y. Tu, H. T. Lin, and F. Y. Gan, SID 06 Digest, 1181 (2006) 23. K. K. H. Wong, S. Kaja, and P. W. DeHaven , IBM J. Res. Dev., 42, 587 (1998) 24. Y. Kuo, Taiwan Display Conference Proceeding, Society for Information Display, Taiwan Chapter, Taipei, p. 4 (2004) 25. Y. Morand, Microelectron. Eng., 50, 391 (2000) 26. S. Y. Chang, C. W. Lin, H. H. Hsu, J. H. Fang, and S. J. Lin, J. Electrochem. Soc., 151, C81 (2004) 27. E. Delamarche, M. Geissler, R. H. Magnuson, H. Schmid, and B. Michel, Langmuir., 19, 5892 (2003) 28. R. H. Havemann, and J. A. Hutchby, Proc. IEEE, 89, 586 (2001) 29. B. Chin, P. J. Ding, B. X. Sun, T. Chiang, D. Angelo, I. Hashim, Z. Xu, S. Edelstein, and F. S. Chen, Solid State Technol., 41, 141 (1998) 30.W. Lee, H. J. Yang, P.J. Reucroft, H. S. Soh, J. H. Kim, S. L. Woo, and J. Lee, Thin Solid Films, 392, 122 ( 2001) 31. K. H. Jang, W. J. Lee, H. R. Kim, and G. Y. Yeom, Jpn. J. Appl. Phys., 43, 8300 (2004) 32. E. Delamarche, J. Vichiconti, S. A. Hall, M. Geissler, W. Graham, B. Michel, and R. Nunes, Langmuir., 19, 6567 (2003) 33. H. Holden, The Board Authority, 2, 8 (2000) 34. G. C. Jo, and K. S. Chae, U.S. Patent 6780784 (2004) 35. S. Krongelb, L. T. Romankiw, and J. A. Tornello, IBM J. Res. Dev., 42, 575 (1998) 36. O. Shang, J. M. White, R. Z. Bachrach, and K. S. Law, U. S. Patent 6887776 (2005) 37. J. Reid, S. Mayer, E. Broadbent, E. Klawuhn, and K. Ashtiani, Solid State Technology, 43, 86 (2000) 38. R. D. Mikkola, Q. T. Jiang, and B. Carpenter, Plating and Surf. Finish., 87, 81 (2000) 39. J. G. Long, P. C. Searson, and P. M. Vereecken, J. Electrochem. Soc., 153, C258 (2006) 40. Z. Nagy, J. P. Blaudeau, N. C. Huang, L. A. Curtiss, and D. J. Zurawski, J. Electrochem. Soc., 142, L87 (1995) 41. M. Kang, and A. A. Gewirth, J. Electrochem. Soc., 150, C426 (2003) 42. W. P. Dow, H. S. Huang, M. Y. Yen, and H. H. Chen, J. Electrochem. Soc., 152, C77 (2005) 43. M. Yokoi, S. Konishi, and T. Hayashi, Denki Kagaku, 52, 218 (1984) 44. J. P. Healy, D. Pletcher, and M. Goodenough, J. Electroanal. Chem., 338, 155 (1992) 45. D. Stoychev, and C. Tsvetanov, J. Appl. Electrochem., 26, 741 (1996) 46. J. J. Kelly, and A. C. West, J. Electrochem. Soc., 145, 3472 (1998) 47. J. J. Kelly, and A. C. West, J. Electrochem. Soc., 145, 3477 (1998) 48. R. Akolkar, and U. Landau, J. Electrochem. Soc., 151, C702 (2004) 49. T. P. Moffat, D. Wheeler, M. D. Edelstein, and D. Josell, IBM J. Res. Dev., 49, 19 (2005) 50. W. P. Dow, M. Y. Yen, W. B. Lin, and S. W. Ho, J. Electrochem. Soc., 152, C769 (2005) 51. K. R. Hebert, S. Adhikari, and J. E. Houser, J. Electrochem. Soc., 152, C324 (2005) 52. M. Petri, D. M. Kolb, U. Memmert, and H. Meyer, J. Electrochem. Soc., 151, C793 (2004) 53. S. C. Chang, J. M. Shieh, K. C. Lin, B. T. Dai, T. C. Wang, C. F. Chen, M. S. Feng, Y. H. Li, and C. P. Lu, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1311 (2002) 54. Z. V. Feng, X. Li, and A. A. Gewirth, J. Phys. Chem. B, 107, 9415 (2003) 55 K. Doblhofer, S. Wasle, D. M. Soares, K. Weil, and G. Ertl, J. Electrochem. Soc., 150, C657 (2003) 56. M. L. Walker, L. J. Richter, and T. P. Moffat, J. Electrochem. Soc., 152, C403 (2005) 57. M. Yokoi, S. Konishi, and T. Hayashi, Denki Kagaku, 51, 460 (1983) 58. J. W. Halley, B. B. Smith, S. Walbran, L. A. Curtiss, R. O. Rigney, A. Sutjianto, N.C. Hung, R. M. Yonco, and Z. Nagy, J. Chem. Phys., 110, 6538 (1999) 59. J.P. Healy, D. Pletcher, and M. Goodenough, J. Electroanal. Chem., 338, 167 (1992) 60. J.P. Healy, D. Pletcher, and M. Goodenough, J. Electroanal. Chem., 338, 179 (1992) 61. E.E. Farndon, F.C. Walsh, and S.A. Campbell, J. Appl. Electrochem., 25, 574 (1995) 62. K. Kondo, N. Yamakawa, Z. Tanaka, and K. Hayashi, J. Electroanal. Chem., 559, 137 (2003) 63. D. Josell, D. Wheeler, W. H. Huber, and T. P. Moffat, Phys. Rev. Lett., 87, 016102 (2001) 64. W. P. Dow, H.S. Huang, and Z. Lin, Electrochem. Solid-State Lett., 6, C134 (2003) 65. A. Frank, and A. J. Bard, J. Electrochem. Soc., 150, C244 (2003) 66. J. J. Kim, S. K. Kim, and Y. S. Kim, J. Electroanal. Chem., 542, 61 (2003) 67. T. P. Moffat, B. Baker, D. Wheeler, and D. Josell, Electrochem. Solid-State Lett., 6, C59 (2003) 68. W. P. Dow, H. S. Huang, M. Y. Yen, and H. H. Chen, J. Electrochem. Soc., 152, C67 (2005) 69. E. E. Farndon, F. C. Walsh, and S. A. Campbell, J. Appl. Electrochem., 25, 574 (1995) 70. S. K. Kim, and J. J. Kim, Electrochem. Solid-State Lett., 7, C98 (2004) 71. Z. D. Schultz, Z. V. Feng, M. E. Biggin, and A. A. Gewirth, J. Electrochem. Soc., 153, C97 (2006) 72. B. Bozzini, L. D’Urzo, V. Romanello, and C. Mele, J. Electrochem. Soc., 153, C254 (2006) 73. M. L. Walker, L. J. Richter, and T. P. Moffat, J. Electrochem. Soc., 153 ,C557 (2006) 74. A. Ulman, Chem. Rev. 1996, 96 (1533) 75. P. E. Laibinis, G. M. Whitesides, D. L. Allara, Y. T. Tao, A. N. Parikh, and R. G. Nuzzo, J. Am. Chem. Soc., 113, 7152 (1991) 76. M.A. Schneeweiss, H. Hagenström, M.J. Esplandiu, and D.M. Kolb, Appl. Phys. A, 69, 537 (1999) 77. A. Kudelski, J. Raman Spectrosc., 34, 853 (2003) 78. A. V. Walker, T. B. Tighe, O. M. Cabarcos, M. D. Reinard, B. C. Haynie, S. Uppili, N. Winograd, and D. L. Allara, J. Am. Chem. Soc., 126, 3954 (2004) 79. T. P. Moffat, D. Wheeler, C. Witt, and D. Josell, Electrochem. Solid-State Lett., 5, C110 (2002) 80. W. P. Dow, and M. Y. Yen, Electrochem. and Solid-State Lett., 8, C161 (2005) 81. H. Hagenstrom, M. A. Schneeweiss, and D. M. Kolb, Langmuir, 15, 2435 (1999) 82. A. Kudelski, Surface Science, 502~503, 219 (2002) 83. A. Kudelski, M. Pecul, and J. Bukowska, J. Raman Spectrosc. , 33, 796 (2002) 84. A. Kudelski, Langmuir, 19, 3805 (2003) 85. H. Hagenstrom, M. A. Schneeweiss, and D. M. Kolb, Langmuir, 15, 7802 (1999) 86. P. Taephaisitphongse, Y. Cao, and A. C. West, J. Electrochem. Soc., 148, C492 (2001) 87. A. C. West, J. Electrochem. Soc., 147, 227 (2000) 88. M. Tan, and J. N. Harb, J. Electrochem. Soc., 150, C420 (2003)
|