本論文為研究矽(Silicon)單晶之X光三光繞射的色散效應，內容為在靠近矽K吸收邊能量(Si K-edge 1.839KeV) 時，利用多光繞射，配合動力繞射理論，觀察繞射峰在不同能量下強度及相位的變化，求得原子散射因子(atomic scattering factor)在靠近吸收邊所需做的修正，原子色散因子修正(corrections to the scattering factor) 。利用三光繞射對相位敏感的特性，來得到接近吸收邊的色散修正，利用此方法可以進而求得原子共振時精細結構。

目錄

Chapter 1 導論………………………………..6
1-1X光的散射……………………………………………………………6
1-2原子散射因子(atomic scattering factor)……………………………8
1-3異常散射(anomalous scattering)的原子散射因子…………………10
1-4結構因子…………………………………………………………...…11
Chapter 2動力繞射理論與複繞射…………...13
2-1基本波場方程…………………………………………………………13
2-2三光複繞射……………………………………………………………16
2-3三光複繞射強度………………………………………………………19

Chapter 3實驗裝置與方法……………………23
3-1實驗裝置……………………………………………………………….23
3-1實驗方法……………………………………………………………….26
Chapter 4數據分析……………………………29
Chapter 5結論…………………………………43

Reference

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