|
1. D. A. Popescu, J. M. Herrmann, A. Ensuque, and F. Bozon-Verduraz, Phys. Chem. Chem. Phys. 3, 2522 (2001). 2. J. H. Ding, T. J. Mcavoy, R. E. Cavicchi, and S. Semancik, Sens. Actuators, B 77, 597 (2001). 3. S. Iijima, Nature 354, 56 (1991). 4. Z. R. Dai, Z. W. Pan, and Z. L. Wang, Adv. Funct. Mater. 13, 9 (2003). 5. Y. H. Lin, M. H. Huang, C. K. Liu, J. R. Chen, J. M. Wu, and H. C. Shih, J. Electrochem. Soc. 156, 196 (2009). 6. Y. H. Lin, C. C. Kuo, J. M. Wu, U. S. Chen, Y. S. Chang, and H. C. Shih, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 8141 (2008). 7. Y. H. Lin, C. C. Kuo, U. S. Chen, J. M. Wu, Y. S. Chang, and H. C. shih. J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 2336 (2010). 8. J. Q. Hu, Y. Bando, Q. L. Liu, and D. Golberg, Adv. Funct. Mater. 13, 493 (2003). 9. C. Z. Wang, T. W. Chen, C. C. Lin, W. J. Hsieh, K. L. Chang, and H. C. Shih, J. Phys. D 40, 2787 (2007). 10. H. Huang, O. K. Tan, Y. C. Lee, J. Guo, and T. White, Nanotechnology 17, 3668 (2006). 11. C. Guo, M. Cao, and C. Hu, Inorg. Chem. Commun. 7, 929 (2004). 12. R. S. Wagner, and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964). 13. R. S. Wagner, “In Whisker Technology”, Wiley, New York, 47-119 (1970). 14. Z. W. Pan, Z. R. Dai, C. Ma, and Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 124, 1817 (2002). 15. Y. G. Zhang, N. L. Wang, R. R. He, J. Liu, X. Z. Zhang, and J. Zhu, J. Crystal Growth 233, 803 (2001). 16. K. H. Lee, S. W. Lee, R. R. Vanfleet, and W. Sigmund, Chem. Phys. Lett. 376, 498 (2003). 17. T. J. Timothy, K. M. Hickman, S. C. Goel, a. M. Viano, P. C. Gibbons, W. E. Buhro, Science 270, 1791 (1995). 18. D. P. Yu, Y. J. Xing, Q. L. Huang, H. F. Yan, J. Xu, Z. H. Xi, and S. Q. Feng, Physica E 9, 305 (2001). 19. Z. W. Pan, S. S. Xie, B. H. Chang, C. . Wang, L. Lu, W. Liu, W. Y. Zhou, and W. Z. Li, Nature 394, 631 (1998). 20. S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, and H. J. Dai, Science 283, 512 (1999). 21. J. Westwater, D. P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, and H. Ruda, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 554 (1997). 22. A. M. Morales and C. M. Leiber, Science 279, 208 (1998). 23. X. Duan and C. M. Leiber, Adv. Mater. 12, 298 (2000). 24. C. C. Chen, C. C. Yeh, C. H. Chen, M. Y. Yu, H. L. Liu, J. J. Wu, K. H. Chen, L. C. Chen, J. Y. Peng, and Y. F. Chen, J. Am. Chem. Soc. 123, 2791 (2001). 25. P. D. Yang and C. M. Leiber, J. Mater. Res. 12, 2981 (1997). 26. Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, and H. Yan, Adv. Mater. 15, 353 (2003). 27. J. X. Wang, D. F. Liu, X. Q. Yan, H. J. Yuan, L. J. Ci, Z. P. Zhou, Y. Gao, L. Song, L. F. Liu, W. Y. Zhou, G. Wang, and S. S. Xie, Solid State Commun. 130, 89 (2004). 28. S. H. Sun, G. W. Meng, Y. W. Wang, T. Gao, M. G. Zhang, Y. T. Tian, X. S. Peng, and L. D. Zhang, Appl. Phys. A 76, 287 (2003). 29. C. Xu, G. Xu, Y. Liu, X. Zhao, and G. Wang, Scr. Mater. 46, 789 (2002). 30. Z. R. Dai, Z. W. Pan, and Z. L. Wang, Solid State Commun. 118, 351 (2001). 31. A. Chen, X. Peng, K. Koczkur, and B. Miller, Chem. Commun. 1964 (2004). 32. Y. Liu, J. Dong, and M. Liu, Adv. Mater. 16, 353 (2004). 33. H. W. Kim, N. H. Kim, J. H. Myung, S. H. Shim, Phys. Status Solidi A 202, 1758 (2005). 34. Y. Huang, X. F. Duan, Q. Q. Wei, and C. M. Lieber, Science, 291, 630 (2001). 35. Y. Huang, X. F. Duan, Y. Cui, L. J. Lauhon, K. H. Kim, and C. M. Lieber, Science 294, 1313 (2001). 36. Q. Kunag, C. Lao, Z. L. Wang, Z. Xie, and L. Zheng, J. Am. Chem. Soc. 129, 6070 (2007). 37. X.F. Duan, Y. Huang, and C.M. Lieber, Nano Lett. 2, 487 (2002). 38. M. Law, H. Kind, B. Messer, F. Kim, and P. Yang, Angew. Chem. 114, 2511 (2002). 39. B. V. Bergeron, A. Marton, G. Oskam, and G. J. Meyer, J. Phys. Chem. B 109, 937 (2005). 40. M. S. Park, G. X. Wang, Y. M. Kang, D. Wexler, S. X. Dou, and H. K. Liu, Angew. Chem. Int. Ed. 46, 750 (2007). 41. Z. Ying, Q. Wan, H. Cao, Z. T. Song, and S. L. Feng, Appl. Phys. Lett. 87, 113108 (2005). 42. S. Chappel, S. G. Chen, and A. Zaban, Langmuir 18, 3336 (2002). 43. A. Kolmakov, D. O. Klenov, Y. Lilach, S. Stemmer, and M. Moskovits, Nano. Lett. 5, 667 (2005). 44. Q. Kunag, C.S. Lao, Z. Li, Y.Z. Liu, Z.X. Xie, L.S. Zheng, and Z.L. Wang, J. Phys. Chem. C 112, 11539 (2008). 45. Q. Wan, and T.H. Wang, Chem. Commun. (Cambridge) 3841 (2005). 46. X.Y. Xue, Y.J. Chen, Y.G. Liu, S.L. Shi, Y.G. Wang, and T.H. Wang, Appl. Phys. Lett. 88, 201907 (2006). 47. Z.L. Wang, and Z.W. Pan, Adv. Mater. 14, 1029 (2002). 48. G.X. Wang, J.S. Park, M.S. Park, and X.L. Gou, Sens. Actuators B 131, 313 (2008). 49. C.M. Carney, S. Yoo, and S.A. Akbar, Sens. Actuators B 108, 29 (2005). 50. H. Kim and A. Pique´, Appl. Phys. Lett., 84, 218 (2004). 51. H. L. Ma, D. H. Zhang, S. Z. Win, S. Y. Li, and Y. P. Chen, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 40, 371 (1996). 52. B. Thangaraju, Thin Solid Films 402, 71 (2002). 53. B. Meyer, and D. Marx, Phys. Rev. B 67, 035403 (2003). 54. R. A. Laudise, and A. A. Ballman, J. Phys. Chem. 64, 688 (1960). 55. Z. L. Wang, J. Mater. Chem. 15, 2021 (2005). 56. P. X. Gao, W. Mai, and Z. L. Wang, Nano Lett. 6, 2536 (2006). 57. Y. Dai, Y. Zhang, and Z. L. Wang, Solid State Commun. 126, 629 (2003). 58. L. Liao, J. C. Li, D. H. Liu, C. Liu, D. F. Wang, W. Z. Song, and Q. Fu, Appl. Phys. Lett. 86, 083106 (2005). 59. P. X. Gao, and Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 2883 (2004). 60. C. Kim, Y. J. Kim, E. S. Jang, G. C. Yi, and H. H. Kim, Appl. Phys. Lett. 88, 093104 (2006). 61. X. Wang, J. Song, and Z. L. Wang, Chem. Phys. Lett. 424, 86 (2006). 62. Y. H. Lin, C. C. Lin, J. M. Wu, U. S. Chen, J. R. Chen, H. C. Shih, Thin Solid Films 517, 1225 (2008). 63. J. Jagadish, S. J. Pearton (Eds.), Zinc Oxide Bulk, Thin Film and Nanostructures, Elsevier (2006). 64. Z. L. Wang, Mater. Sci. Eng. R 64, 33 (2009). 65. V. A. Karpina, V. I., Lazorenko, C. V. Lashkarev, V. D. Dobrowolski, L. I. Kopylova, V. A. Baturin, S. A. Pustovoytov, A. J. Karpenko, S. A. Eremin, P. M. Lytvyn, V. P. Ovsyannikov, and E. A. Mazurenko, Cryst. Res. Technol. 39, 980 (2004). 66. C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H. Lo, and D. Wang, Nano Lett. 7, 1003 (2007). 67. C. L. Hsu, S. J. Chang, Y. R. Lin, P. C. Li, T. S. Lin, S. Y. Tsai, T. H. Lu, and I. C. Chen, Chem. Phys. Lett. 416, 75 (2005). 68. R. Ghosh, M. Dutta, and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 91, 073108 (2007). 69. K. Keem, H. Kim, G. T. Kim, J. S. Lee, B. Min, K. Cho, M. Y. Sung, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 4376 (2004). 70. J. H. He, S. T. Ho, T. B. Wu, L. J. Chen, and Z. L. Wang, Chem. Phys. Lett. 435, 119 (2007). 71. J. B. K. Law, and J. T. L. Thong, Appl. Phys. Lett. 88, 133114 (2006). 72. C. Y. Lu, S. J. Chang, S. P. Chang, C. T. Lee, C. F. Kuo, H. M. Chang, Y. Z. Chiou, C. L. Hsu, and I. C. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 153101 (2006). 73. Z. Fan, P. C. Chang, J. G. Lu, E. C. Walter, R. M. Penner, C. H. Lin, and H. P. Lee, Appl. Phys. Lett. 85, 6128 (2004). 74. P. J. Pauzauskie, and P. Yang, Mater. Today 9, 36 (2006). 75. J. H. He, C. S. Lao, L. J. Chen, D. Davidovic, and Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 127, 16376 (2005). 76. J. H. He, Y. H. Lin, M. E. McConney, V. V. Tsukruk, Z. L. Wang, and G. Bao, J. Appl. Phys. 102, 084303 (2007). 77. C. H. Chen, S. J. Chang, S. P. Chang, M. J. Li, I. C. Chen, T. J. Hsueh, and C. L. Hsu, Chem. Phys. Lett. 476, 69 (2009).
|