電漿的應用相當廣泛，在各種領域中，包括半導體產業、光電產業與太陽能產業等。而且隨著需求的不斷增加，製程設備也需要不斷的擴大，此時大面積的電漿設備便成為關鍵。其中能產生高密度電漿的電感耦合電漿源已成為大面積電漿源運用在製程上重要的方式。本研究目的是探討並聯式電感耦合的方法來產生大面積電漿。有別於以往大面積平面式電感耦合電漿源須要大尺寸的石英窗來隔絕真空與大氣，本實驗架設利用石英管構成大尺寸石英板所帶來的工程上的製作問題，再加上我們採取並聯的方式連接感應線圈，很容易將電漿面積scale-up。
本研究之實驗氣體為氬氣(Ar)，真空腔體大小720mm×420mm×370mm。透過Langmuir probe 的量測，在不同的變數下分析電漿產生區域的基本特性與電漿分佈。有效電漿面積為560mm×350mm，其中最高的電漿密度超過1012cm-3，均勻度在±10%。

摘要
第一章 緒論
第二章 實驗裝置
第三章 理論分析
第四章 結果與討論
第五章 結論
第六章 參考文獻
Appendix

[1] J.H. Keller,Plasma Source Sci. Technol. 5 p166 1996.
[2] 張家豪et.al.,中華民國物理學會物理雙月刊，第28卷2期，2006，四月。
[3] J. Hopwood, Plasma Sources Sci. Technol. 1 1992 P.109-116.
[4] Michael A. Lieberman, Allan J. Lichtenberg, Principles of Plasma
Discharges and Materials Processing, Wiley, New York, 1994.
[5] 蔡振明博士論文，電漿離子佈值中鞘層動態分析及其應用，2001
年，八月。
[6] J.H. Lim,K.N. Kim,J.K. Park,J.H. Park,and G.Y. Yeom, Jpn. J. Appl.Phys. 46 p1216 2007.K.
[7] Huddlestone, Richard H., Plasma diagnostic techniques, New
York,Academic Press,1965.
[8] Orlando Auciello, Daniel L. Flamm., Plasma diagnostics,
Boston :Academic Press,c1989.
[9] I. Langmuir, and H. M. Mott-Smith, Phys. Rev., Vol 28 p.727 1926.
[10] Alfred Grill,Cold Plasma in Materials Fabrication,New York, IEEE
Press,1994.
[11] V.A. Godyak,R.B. Piejak and B.M. Alexandrovich,Plasma Sources Sci. Technol. ,1 p36 1992.
[12] J. E. Heidenreich Ⅲ, J. R. Paraszczak, M. Moisan, and G. Suave, J.
Vac. Sci. Technol. B, Vol 5, p.347, 1987.
[13] R.L. Merlino,Am. J. Phys. ,75 p1078 200.
[14] A Ganguli,B.B. Sahu and R.D. Tarey,Plasma Sources Sci.
Technol., 17 015003, 2008.
[15] A.P. Paranjpe, J.P. McVittie and S.A. Self ,J. Appl. Phys., 67 p6718
1990.
[16] I.D. Sudit and F.F. Chen, Plasma Sources Sci. Technol.,17 p162
1994.
[17] 劉訓成碩士論文，內置式與外置式平面感應線圈之電漿特性量
測，2008年，6月。
[18] V. Vahedi,M.A. Lieberman,G. Dipeso,T.D. Rognlien and D. Hewett,
J. Appl. Phys.,78 p1446 1995.
[19] J. Hopwood, Plasma Sources Sci.Technol., 1, 109-116 (1992).
[20] M. M. Turner and M. A. Lieberman, Plasma Sources Sci. Technol.,
8, 313-324 (1999).
[21] J.Amorim, H. S. Maciel and J. P. Sudano, J. Vac. Sci. Technol. B, 9(2),362 (1991).
[22] N. S. Yoon, B. C. Kim, J. G. Yang and S. M. Hwang, Trans. Plasma
Sci., Vol.26, No.2, 190-197 (1999).
[23] K. Suzuki, K. Nakamura, H. Ohkubo and H. Sugai, Plasma Sources
Sci. Technol., 7, 13-20 (1998).
[24] C. Leou, S. C. Tsai, C.H. Chang, W. Y. Chiang, T.L. Lin and C. H. Tsai, Jpn. J. Appl. Phys.,38,p4268 1999.
[25] Ansoft Corporation, Getting started:3D Finite Element Method :
Ansoft, Jan. 2001, pp.10.
[26] Ansoft Corporation, Getting started: An Drivevmode Problem:
Ansoft, Jan. 2001, pp.5-6
[27] K. Susuki,K. Konishi,K. Nakamura and H. Sugai, Plasma Sources
Sci. Technol., 9 p199 2000
[28] M. Yamashita and N., Osaka,Jpn. J. Appl. Phys.,20 p1771 1981.
[29] J.H. Lim,K.N. Kim and G.Y. Yeom,Plasma Process. Polym.,4 p999
2007
[30] J.H. Lim,K.N. Kim,J.K. Park,J.T. Lim and G.Y. Yeom,Applied
Physics Letters,92 051504 2008