|
[1] F. Wanlass and C. T. Sah, IEEE Technical digest of Int. Solid-state circuit Conf., pp. 32–33, 1963. [2] http://en.wikipedia.org/wiki/Wiki [3] International Technology Roadmap for Semiconductors, Semiconductor Industry Association (2001). [4] D. A. Muller, T. Sorsch, S. Moccio, F. H. Baumann, K. Evans-Lutterodt and G. Timp, Nature 399, 758 (1999). [5] J. B. Neaton, D. A. Muller, and N. W. Ashcroft, Phys. Rev. Lett. 85, 1298 (2000). [6] http://en.wikipedia.org/wiki/High-k/. [7] http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/. [8] M. Passlack, M. Hong, and J. P. Mannaerts, Appl. Phys. Lett. 68, 1099–1101 (1996). [9] M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, R. L. Opila, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. Ren, and J. R. Kwo, IEEE Transactions on Electron Devices, pp. 214–225, Feb. (1997). [10] M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science, vol. 283, no. 5409, pp. 1897–1900 (1999). [11] Y. C. Wang, M. Hong, J. M. Kuo, J. P. Mannaerts, J. Kwo, H. Tsai, J. J. Krajewski, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, IEEE Electron Device Letters, vol. 20, pp. 457–459 (1999). [12] F. Ren, J. Kuo, M. Hong, W. Hobson, J. Lothian, J. Lin, H. Tsai, J. Mannaerts, J. Kwo, S. Chu, Y. Chen, and A. Cho, IEEE Electron Device Letters, vol. 19, pp. 309–311 (1998). [13] M. Hong, J. N. Baillargeon, J. Kwo, J. P. Mannaerts, and A. Y. Cho, Compound Semiconductors, 2000 IEEE nternational Symposium on, pp. 345–350 (2000). [14] Y. C. Wang, M. Hong, J. M. Kuo, J. P. Mannaerts, H. S. Tsai, J. Kwo, J. J. Krajewski, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, Electronics Letters, (1999). [15] M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, Y. J. Lee, and P. Chang, J. Kwo, T. B. Wu, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 87, 252104, (2005). [16] C. H. Chang, Y. K. Chiu, Y. C. Chang, K. Y. Lee, T. D. Lin, T.B. Wu, M. Hong, and J. Kwo, Appl. Phys. Lett. 89, 242911 (2006). [17] C. L. Hinkle, A. M. Sonnet, M. Milojevic, F. S. Aguirre-Tostado, H. C. Kim, J. Kim, R. M. Wallace, and E. M. Vogel, Appl. Phys. Lett. 93, 113506 (2008). [18] D. Shahrjerdi, E. Tutuc, and S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 91, 063501 (2007). [19] M. Milojevic, C. L. Hinkle, F. S. Aguirre-Tostado, H. C. Kim, E. M. Vogel, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 93, 252905 (2008). [20] H. C. Lin, W. E. Wang, G. Brammertz, M. Meuris, M. Heyns, Microelectron. Eng. 86, 1554(2009). [21] C. W. Cheng, J. Hennessy, D. Antoniadis, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 95, 082106 (2009). [22] S. J. Koester, E. W. Kiewra, Y. Sun, D. A. Neumayer, J. A. Ott, M. Copel, and D. K. Sadana, Appl. Phys. Lett. 89, 042104 (2006). [23] H. S. Kim, I. Ok, M. Zhang, C. Choi, T. Lee, F. Zhu, G. Thareja, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 88, 252906 (2006). [24] M. Zhu, C. H. Tung, and Y. C. Yeo, Appl. Phys. Lett. 89, 202903 (2006). [25] G. Brammertz, H. C. Lin, K. Martens, D. Mercier, S. Sioncke, A. Delabie, W. E. Wang, M. Caymax, M. Meuris, and M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 93, 183504 (2008). [26] D. Shahrjerdi, T. Akyol, M. Ramon, D. I. Garcia-Gutierrez, E. Tutuc, and S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 92, 203505 (2008). [27] R. L. Puurunen, J. of Appl. Phys. 97, 121301 (2005). [28] R. L. Puurunen, Appl. Surf. Sci. 245, 6 (2005). [29] C. Zhao, B. Brijs, F. Dortu, S. De Gendt, M. Caymax, M. Heyns, W.Besling, and J. W. Maes, Proc. Electrochem. Soc. PV 2003-3, 243 (2003). [30] M. A. Herman, H. Sitter, Molecular Beam Epitaxy Fundamentals and Current Status, Springer-Verlag (1989). [31] T. Mimura and M. Fukuta, IEEE Trans. Electron Device ED-27, 1147 (1980). [32] S. M. Sze, and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Device, Wiley-Interscience (2007). [33] D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, Wiley- Interscience (2006). [34] E. H. Nicollian, and J. R. Brews, Metal-Oxide-Semiconductor Physics and Technology, Wiley-Interscience (2003). [35] I. J. Bahl, Lumped Elements for RF and Microwave Circuits, ARTECH HOUSE, INC. (2003) [36] C. N. Berglund, IEEE Trans. Electron Device, 13, 701, (1966). [37] J. F. Zheng, W. Tsai, T. D. Lin, Y. J. Lee, C. P. Chen, M. Hong, J. Kwo, S. Cui, and T. P. Ma, Appl. Phys. Lett. 91, 223502 (2007). [38] T. D. Lin, H. C. Chiu, P. Chang, L. T. Tung, C. P. Chen, M. Hong, J. Kwo, W. Tsai, and Y. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 033516 (2008). [39] Q. K. Xue, T. Hashizumec, and T. Sakurai, Appl. Surf. Sci. 141, 244 (1999). [40] W. Shockley and W. T. Read, Phys. Rev. 87, 835 (1953). [41] G. Brammertz, K. Martens, S. Sioncke, A. Delabie, M. Caymax, M. Meuris, and M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 91, 133510 (2007). [42] S. Jakschik, U. Schroedera, T. Hechta, M. Gutschea, H. Seidla, and J.W. Bartha, Thin Solid Films, 425, 216–220 (2003). [43] D. Buchanan, Proceedings of the International Electron Devices Meeting, San Francisco, CA, (2000).
|